Фильтр. Формальная проверка: Ошибок нет
1
001 pzht20_to46_vy20_ss3_ad1
100 ## $a20201027d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПовышение эффективности и длительности эмиссии углеродных нанотрубок после обработки в плазме аммиака$fС. В. Булярский, В. С. Белов, Е. П. Кицюк [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 5-6 (20 назв.)
330 ## $aРазработана технология легирования углеродных нанотрубок азотом в плазме аммиака. Нанотрубки, синтезированные по технологии, исключающей легирование азотом, подвергались обработке в плазме аммиака. В результате концентрация азота в нанотрубках увеличивалась в 5 раз с 0. 7 до 3. 6 at. %, сопротивление нанотрубок падало в 6 раз, работа выхода уменьшалась на 10%. Такое воздействие приводило к стабилизации процесса эмиссии.
330 ## $aA technology for doping carbon nanotubes with nitrogen in ammonia plasma has been developed. Nanotubes synthesized using a technology excluding doping with nitrogen were treated in ammonia plasma. As a result, the nitrogen concentration in nanotubes increased fivefold from 0. 7 to 3. 6 at%, the resistance of nanotubes decreased six fold, and the work function decreased by 10%. This impact led to the stabilization of the emission process.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 3-6$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aэффективность эмиссии
610 0# $aдлительность эмиссии
610 0# $aэмиссия
610 0# $aуглеродные нанотрубки
610 0# $aплазма аммиака
610 0# $aтехнология легирования
610 0# $aазот
610 0# $aнанотрубки
610 0# $aплазменная обработка
610 0# $aконцентрация азота
610 0# $aсопротивление нанотрубок
610 0# $aработа выхода
610 0# $aстабилизация эмиссии
610 0# $aлегирование азотом
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aБулярский$bС. В.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН; НПК "Технологический центр"
701 #1 $aБелов$bВ. С.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН; Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
701 #1 $aКицюк$bЕ. П.$4070$pНПК "Технологический центр"
701 #1 $aЛакалин$bА. П.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aМолоденский$bМ. С.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aПавлов$bА. А.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aРязанов$bР. М.$4070$pНПК "Технологический центр"
701 #1 $aТерентьев$bА. В.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aШаманаев$bА. А.$4070$pНПК "Технологический центр"
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50146.18172
005 20201029052302.6
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss3_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b3
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201027$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201027
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
2
001 pzht20_to46_vy20_ss7_ad1
100 ## $a20201027d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aCвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS$fМ. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 10 (14 назв.)
330 ## $aВ пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольтамперные характеристики пленки InSb на CdS, так же, как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро) -CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению.
330 ## $aIn the InSb film fabricated by thermal evaporation on the CdS single crystal, growth of reflection in the infrared region similar to plasma resonance in the single crystals has observed. Raman spectra demonstrate that the ratio of amorphous and crystalline phases is approximately constant for InSb films on the CdS substrate, which is not typical for the InSb film on gallium gadolinium garnet. The current-voltage characteristics of the InSb film on CdS as well as the annealed layer of InSb (core) -CdS (shell) quantum dots are linear and become sensitive to illumination.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 7-10$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
606 ## $aФизическая оптика$2AR-MARS
610 0# $aсвойства пленок
610 0# $aпленки
610 0# $aнаноразмерные частицы
610 0# $aсубмикронные частицы
610 0# $aInSb
610 0# $aпассивация
610 0# $aCdS
610 0# $aсульфид кадмия
610 0# $aантимонид индия
610 0# $aтермическое испарение
610 0# $aмонокристаллы
610 0# $aплазменный резонанс
610 0# $aспектры комбинационного рассеяния
610 0# $aаморфные фазы
610 0# $aкристаллические фазы
610 0# $aподложки
610 0# $aгаллий-гадолиниевые гранаты
610 0# $aвольтамперные характеристики
610 0# $aотожженные слои
610 0# $aквантовые точки
610 0# $aядра
610 0# $aоболочки
610 0# $aосвещение
675 ## $a539.2
675 ## $a535.2/.3
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
686 ## $2rubbk$a22.343
700 #1 $aШишкин$bМ. И.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
701 #1 $aНикулин$bЮ. В.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
701 #1 $aПрихожденко$bЕ. С.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255
005 20201029052302.3
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss7_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b7
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201027$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201027
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
3
001 pzht20_to46_vy20_ss11_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aФормирование высокотемпературных сверхпроводящих слоев на границах несверхпроводящих фаз$fМ. И. Петров, С. И. Попков, К. Ю. Терентьев, А. Д. Васильев
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 13-14 (14 назв.)
330 ## $aПредложен альтернативный способ синтеза образцов высокотемпературных сверхпроводников, при котором сверхпроводящие слои должны образовываться на поверхности тугоплавких гранул "зеленой фазы" H[2]BaCu[5], погруженных в жидкую фазу BaCuO[2] + CuO.
330 ## $aAn alternative method for the synthesis of samples of high-temperature superconductors (HTSCs) is proposed, in which nanoscale superconducting layers should form on the surface of refractory granules of the "green phase" H[2]BaCu[5] immersed in the liquid phase BaCuO[2] + CuO.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 11-14$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aЭлектронные и ионные явления. Физика плазмы$2AR-MARS
610 0# $aвысокотемпературные сверхпроводящие слои
610 0# $aнесверхпроводящие фазы
610 0# $aсинтез
610 0# $aобразцы
610 0# $aсверхпроводящие слои
610 0# $aповерхности
610 0# $aтугоплавкие гранулы
610 0# $aзеленая фаза
610 0# $aCuO
610 0# $aоксид меди
610 0# $aВТСП
610 0# $aвысокотемпературная сверхпроводимость
675 ## $a533.9
686 ## $2rubbk$a22.333$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aПетров$bМ. И.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
701 #1 $aПопков$bС. И.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет
701 #1 $aТерентьев$bК. Ю.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
701 #1 $aВасильев$bА. Д.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50148.18289
005 20201029052302.7
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss11_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b11
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
4
001 pzht20_to46_vy20_ss15_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aКинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов$fВ. Г. Дубровский, И. В. Штром
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 18 (20 назв.)
330 ## $aПолучено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса - Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R{-m}, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии.
330 ## $aA kinetic equation is obtained which describes the elongation rate of planar semiconductor nanowires growing via the vapor-liquid-solid mechanism in the substrate plane. Theoretical analysis of different regimes depending on the nanowire radius and epitaxial conditions shows that planar growth of nanowires can be limited by either the Gibbs - Thomson effect in a catalyst droplet (for small droplet size) or surface diffusion of adatoms (for larger nanowire radii. Diffusion-like dependence of the growth rate on the nanowire radius R has the form R{-m}, where the power exponent equal 1, 3/2 or 2 depending on the mechanism of surface diffusion transport.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 15-18$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aпланарные нитевидные нанокристаллы
610 0# $aаналитические уравнения
610 0# $aзакон удлинения нанокристаллов
610 0# $aпар-жидкость-кристалл
610 0# $aплоскости
610 0# $aподложки
610 0# $aтеоретический анализ
610 0# $aэпитаксиальное осаждение
610 0# $aэффект Гиббса - Томсона
610 0# $aГиббса - Томсона эффект
610 0# $aкатализаторы
610 0# $aадатомы
610 0# $aдиффузионно-лимитированные скорости
610 0# $aповерхностная диффузия
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aДубровский$bВ. Г.$4070$pНациональный исследовательский университет ИТМО
701 #1 $aШтром$bИ. В.$4070$pСанкт-Петербургский государственный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50149.18440
005 20201029052302.0
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss15_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b15
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
5
001 pzht20_to46_vy20_ss19_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПокрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC$fА. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 22 (8 назв.)
330 ## $aРазработан метод покрытия профилированной поверхности Si слоем SiC, полностью сохраняющим исходную морфологию поверхности Si. Определены условия синтеза SiC, при которых исходный профиль поверхности Si трансформируется в профиль, покрытый слоем SiC без геометрических искажений. Экспериментально доказано, что критической температурой синтеза, при которой происходит формирование данного покрытия, является температура, равная 1050°С.
330 ## $aThe method has been developed for coating of a profiled Si surface with a SiC layer, which completely preserves its original morphology of the Si surface. The SiC synthesis conditions are determined under which the initial Si surface profile is transformed into a profile coated with a SiC layer without geometric distortions. It has been experimentally proved that the critical synthesis temperature at which this coating is formed is a temperature equal to 1050°С.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 19-22$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aпокрытие поверхности
610 0# $aнаноструктурированные профилированные поверхности
610 0# $aповерхности кремния
610 0# $aкремний
610 0# $aповерхности Si
610 0# $aкарбид кремния
610 0# $aметоды покрытия
610 0# $aморфология поверхностей
610 0# $aусловия синтеза
610 0# $aисходные профили
610 0# $aгеометрические искажения
610 0# $aкритическая температура синтеза
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aГращенко$bА. С.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН
701 #1 $aКукушкин$bС. А.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
701 #1 $aОсипов$bА. В.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50150.18447
005 20201029052302.2
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss19_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b19
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
6
001 pzht20_to46_vy20_ss23_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU