Фильтр. Формальная проверка: Ошибок нет

1
001 pzht20_to46_vy20_ss3_ad1
100 ## $a20201027d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПовышение эффективности и длительности эмиссии углеродных нанотрубок после обработки в плазме аммиака$fС. В. Булярский, В. С. Белов, Е. П. Кицюк [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 5-6 (20 назв.)
330 ## $aРазработана технология легирования углеродных нанотрубок азотом в плазме аммиака. Нанотрубки, синтезированные по технологии, исключающей легирование азотом, подвергались обработке в плазме аммиака. В результате концентрация азота в нанотрубках увеличивалась в 5 раз с 0. 7 до 3. 6 at. %, сопротивление нанотрубок падало в 6 раз, работа выхода уменьшалась на 10%. Такое воздействие приводило к стабилизации процесса эмиссии.
330 ## $aA technology for doping carbon nanotubes with nitrogen in ammonia plasma has been developed. Nanotubes synthesized using a technology excluding doping with nitrogen were treated in ammonia plasma. As a result, the nitrogen concentration in nanotubes increased fivefold from 0. 7 to 3. 6 at%, the resistance of nanotubes decreased six fold, and the work function decreased by 10%. This impact led to the stabilization of the emission process.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 3-6$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aэффективность эмиссии
610 0# $aдлительность эмиссии
610 0# $aэмиссия
610 0# $aуглеродные нанотрубки
610 0# $aплазма аммиака
610 0# $aтехнология легирования
610 0# $aазот
610 0# $aнанотрубки
610 0# $aплазменная обработка
610 0# $aконцентрация азота
610 0# $aсопротивление нанотрубок
610 0# $aработа выхода
610 0# $aстабилизация эмиссии
610 0# $aлегирование азотом
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aБулярский$bС. В.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН; НПК "Технологический центр"
701 #1 $aБелов$bВ. С.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН; Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
701 #1 $aКицюк$bЕ. П.$4070$pНПК "Технологический центр"
701 #1 $aЛакалин$bА. П.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aМолоденский$bМ. С.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aПавлов$bА. А.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aРязанов$bР. М.$4070$pНПК "Технологический центр"
701 #1 $aТерентьев$bА. В.$4070$pИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН
701 #1 $aШаманаев$bА. А.$4070$pНПК "Технологический центр"
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50146.18172
005 20201029052302.6
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss3_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b3
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201027$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201027
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
2
001 pzht20_to46_vy20_ss7_ad1
100 ## $a20201027d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aCвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS$fМ. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 10 (14 назв.)
330 ## $aВ пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольтамперные характеристики пленки InSb на CdS, так же, как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро) -CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению.
330 ## $aIn the InSb film fabricated by thermal evaporation on the CdS single crystal, growth of reflection in the infrared region similar to plasma resonance in the single crystals has observed. Raman spectra demonstrate that the ratio of amorphous and crystalline phases is approximately constant for InSb films on the CdS substrate, which is not typical for the InSb film on gallium gadolinium garnet. The current-voltage characteristics of the InSb film on CdS as well as the annealed layer of InSb (core) -CdS (shell) quantum dots are linear and become sensitive to illumination.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 7-10$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
606 ## $aФизическая оптика$2AR-MARS
610 0# $aсвойства пленок
610 0# $aпленки
610 0# $aнаноразмерные частицы
610 0# $aсубмикронные частицы
610 0# $aInSb
610 0# $aпассивация
610 0# $aCdS
610 0# $aсульфид кадмия
610 0# $aантимонид индия
610 0# $aтермическое испарение
610 0# $aмонокристаллы
610 0# $aплазменный резонанс
610 0# $aспектры комбинационного рассеяния
610 0# $aаморфные фазы
610 0# $aкристаллические фазы
610 0# $aподложки
610 0# $aгаллий-гадолиниевые гранаты
610 0# $aвольтамперные характеристики
610 0# $aотожженные слои
610 0# $aквантовые точки
610 0# $aядра
610 0# $aоболочки
610 0# $aосвещение
675 ## $a539.2
675 ## $a535.2/.3
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
686 ## $2rubbk$a22.343
700 #1 $aШишкин$bМ. И.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
701 #1 $aНикулин$bЮ. В.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
701 #1 $aПрихожденко$bЕ. С.$4070$pСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255
005 20201029052302.3
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss7_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b7
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201027$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201027
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
3
001 pzht20_to46_vy20_ss11_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aФормирование высокотемпературных сверхпроводящих слоев на границах несверхпроводящих фаз$fМ. И. Петров, С. И. Попков, К. Ю. Терентьев, А. Д. Васильев
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 13-14 (14 назв.)
330 ## $aПредложен альтернативный способ синтеза образцов высокотемпературных сверхпроводников, при котором сверхпроводящие слои должны образовываться на поверхности тугоплавких гранул "зеленой фазы" H[2]BaCu[5], погруженных в жидкую фазу BaCuO[2] + CuO.
330 ## $aAn alternative method for the synthesis of samples of high-temperature superconductors (HTSCs) is proposed, in which nanoscale superconducting layers should form on the surface of refractory granules of the "green phase" H[2]BaCu[5] immersed in the liquid phase BaCuO[2] + CuO.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 11-14$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aЭлектронные и ионные явления. Физика плазмы$2AR-MARS
610 0# $aвысокотемпературные сверхпроводящие слои
610 0# $aнесверхпроводящие фазы
610 0# $aсинтез
610 0# $aобразцы
610 0# $aсверхпроводящие слои
610 0# $aповерхности
610 0# $aтугоплавкие гранулы
610 0# $aзеленая фаза
610 0# $aCuO
610 0# $aоксид меди
610 0# $aВТСП
610 0# $aвысокотемпературная сверхпроводимость
675 ## $a533.9
686 ## $2rubbk$a22.333$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aПетров$bМ. И.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
701 #1 $aПопков$bС. И.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет
701 #1 $aТерентьев$bК. Ю.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
701 #1 $aВасильев$bА. Д.$4070$pИнститут физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50148.18289
005 20201029052302.7
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss11_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b11
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
4
001 pzht20_to46_vy20_ss15_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aКинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов$fВ. Г. Дубровский, И. В. Штром
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 18 (20 назв.)
330 ## $aПолучено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса - Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R{-m}, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии.
330 ## $aA kinetic equation is obtained which describes the elongation rate of planar semiconductor nanowires growing via the vapor-liquid-solid mechanism in the substrate plane. Theoretical analysis of different regimes depending on the nanowire radius and epitaxial conditions shows that planar growth of nanowires can be limited by either the Gibbs - Thomson effect in a catalyst droplet (for small droplet size) or surface diffusion of adatoms (for larger nanowire radii. Diffusion-like dependence of the growth rate on the nanowire radius R has the form R{-m}, where the power exponent equal 1, 3/2 or 2 depending on the mechanism of surface diffusion transport.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 15-18$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aпланарные нитевидные нанокристаллы
610 0# $aаналитические уравнения
610 0# $aзакон удлинения нанокристаллов
610 0# $aпар-жидкость-кристалл
610 0# $aплоскости
610 0# $aподложки
610 0# $aтеоретический анализ
610 0# $aэпитаксиальное осаждение
610 0# $aэффект Гиббса - Томсона
610 0# $aГиббса - Томсона эффект
610 0# $aкатализаторы
610 0# $aадатомы
610 0# $aдиффузионно-лимитированные скорости
610 0# $aповерхностная диффузия
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aДубровский$bВ. Г.$4070$pНациональный исследовательский университет ИТМО
701 #1 $aШтром$bИ. В.$4070$pСанкт-Петербургский государственный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50149.18440
005 20201029052302.0
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss15_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b15
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
5
001 pzht20_to46_vy20_ss19_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПокрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC$fА. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 22 (8 назв.)
330 ## $aРазработан метод покрытия профилированной поверхности Si слоем SiC, полностью сохраняющим исходную морфологию поверхности Si. Определены условия синтеза SiC, при которых исходный профиль поверхности Si трансформируется в профиль, покрытый слоем SiC без геометрических искажений. Экспериментально доказано, что критической температурой синтеза, при которой происходит формирование данного покрытия, является температура, равная 1050°С.
330 ## $aThe method has been developed for coating of a profiled Si surface with a SiC layer, which completely preserves its original morphology of the Si surface. The SiC synthesis conditions are determined under which the initial Si surface profile is transformed into a profile coated with a SiC layer without geometric distortions. It has been experimentally proved that the critical synthesis temperature at which this coating is formed is a temperature equal to 1050°С.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 19-22$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aпокрытие поверхности
610 0# $aнаноструктурированные профилированные поверхности
610 0# $aповерхности кремния
610 0# $aкремний
610 0# $aповерхности Si
610 0# $aкарбид кремния
610 0# $aметоды покрытия
610 0# $aморфология поверхностей
610 0# $aусловия синтеза
610 0# $aисходные профили
610 0# $aгеометрические искажения
610 0# $aкритическая температура синтеза
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aГращенко$bА. С.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН
701 #1 $aКукушкин$bС. А.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
701 #1 $aОсипов$bА. В.$4070$pИнститут проблем машиноведения РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50150.18447
005 20201029052302.2
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss19_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b19
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
6
001 pzht20_to46_vy20_ss23_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aСинтезатор дискретной сетки частот на основе антиферромагнитного спинтронного осциллятора$fА. Р. Сафин, П. А. Попов, Д. В. Калябин, С. А. Никитов
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 25-26 (23 назв.)
330 ## $aИсследована динамика бесфильтрового синтезатора дискретной сетки частот, построенного на основе системы фазовой синхронизации антиферромагнитного спинтронного осциллятора, генерирующего терагерцевые колебания в широком диапазоне частот под действием постоянного тока. Методом медленно меняющихся амплитуд получена зависимость коэффициента усиления по кольцу системы фазовой синхронизации от разности частот синхронизируемых колебаний при разных коэффициентах деления в цепи обратной связи. Показано, что с ростом коэффициента деления полоса синхронизируемых колебаний уменьшается при неизменных параметрах антиферромагнитного спинтронного осциллятора.
330 ## $aDynamics of an antiferromagnetic spintronic oscillator phase-locked loop-based frequency synthesizer, which generates terahertz oscillations in a wide frequency range under the influence of direct current, was investigated. By the method of slowly varying amplitudes, a dependence of the gain on the ring of the phase locked loop on the difference in frequencies of synchronized oscillations at different division coefficients in the feedback circuit is obtained. It is shown that as the division coefficient increases, the band of synchronized oscillations decreases with unchanged parameters of the antiferromagnet-based spintronic oscillator.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 23-26$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aКвантовая механика$2AR-MARS
610 0# $aсинтезаторы
610 0# $aдискретные сетки частот
610 0# $aантиферромагнитные спинтронные осцилляторы
610 0# $aфазовая синхронизация
610 0# $aтерагерцевые колебания
610 0# $aпостоянный ток
610 0# $aмедленно меняющиеся амплитуды
610 0# $aкоэффициенты усиления колебаний
610 0# $aсинхронизируемые колебания
610 0# $aкоэффициенты деления колебаний
610 0# $aцепи обратной связи
610 0# $aантиферромагнетики
610 0# $aсистемы фазовой синхронизации
610 0# $aспинтроника
675 ## $a530.145
686 ## $2rubbk$a22.314$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aСафин$bА. Р.$4070$pИнститут радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский университет "МЭИ"
701 #1 $aПопов$bП. А.$4070$pИнститут радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
701 #1 $aКалябин$bД. В.$4070$pИнститут радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
701 #1 $aНикитов$bС. А.$4070$pИнститут радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50151.18311
005 20201029052302.3
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss23_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b23
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
7
001 pzht20_to46_vy20_ss27_ad1
100 ## $a20201029d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aКоммутация высоковольтных импульсов в устройствах на основе открытого разряда в азоте и кислороде$fП. А. Бохан, П. П. Гугин, Д. Э. Закревский [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 29-30 (16 назв.)
330 ## $aПроведены сравнительные исследования коммутационных характеристик устройств на основе открытого разряда - кивотронов - в молекулярных газах (азоте и кислороде), а также в их смесях с гелием. Выбор азота и кислорода обусловлен тем, что коэффициенты эмиссии электронов под действием их тяжелых частиц намного выше, чем для гелия. Показано, что для этого случая, как и при преобладании фотоэлектронного механизма эмиссии в гелии, возможно создание быстродействующих ключей. Их преимуществом являются значительно меньшие требования к чистоте рабочей среды.
330 ## $aComparative studies of the switching characteristics of devices based on an open discharge - kivotrons in molecular gases (nitrogen and oxygen), as well as their mixtures with helium - have been carried out. The choice of nitrogen and oxygen is due to the fact that the emission coefficients of electrons under the action of their heavy particles are much higher than for helium. It is shown that for this case, as well as with the predominance of the photoelectronic emission mechanism in helium, it is also possible to create fast switches. Their advantage is significantly lower requirements for the cleanliness of the working environment.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 27-30$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aЭлектростатика$2AR-MARS
610 0# $aкоммутация импульсов
610 0# $aвысоковольтные импульсы
610 0# $aустройства
610 0# $aоткрытые разряды
610 0# $aкивотроны
610 0# $aмолекулярные газы
610 0# $aазот
610 0# $aкислород
610 0# $aгелий
610 0# $aэмиссия электронов
610 0# $aкоэффициенты эмиссии
610 0# $aтяжелые частицы
610 0# $aфотоэлектронные механизмы
610 0# $aбыстродействующие ключи
610 0# $aчистота рабочей среды
675 ## $a537.2
686 ## $2rubbk$a22.331$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aБохан$bП. А.$4070$pИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
701 #1 $aГугин$bП. П.$4070$pИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
701 #1 $aЗакревский$bД. Э.$4070$pИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный технический университет
701 #1 $aКим$bВ. А.$4070$pИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
701 #1 $aЛаврухин$bМ. А.$4070$pИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50152.18436
005 20201029052302.8
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss27_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b27
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201029$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201029
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
8
001 pzht20_to46_vy20_ss31_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aГенерация затопленной струи при лазерном нагреве поверхности жидкости$fВ. М. Чудновский, В. И. Юсупов
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 33-34 (15 назв.)
330 ## $aЭкспериментально обнаружено, что при нагреве поверхности воды непрерывным лазерным излучением с длиной волны 1. 94 mum через оптоволокно генерируются струи: одна - затопленная, направленная в глубь жидкости, другая - направленная в противоположном направлении, вверх в атмосферу. Струи образуются при схлопывании газовой полости, возникающей в процессе взрывного вскипания воды, вызванного поглощением лазерного излучения непосредственно под торцом оптоволокна, направленного вертикально вниз к поверхности жидкости. Обсуждается механизм образования струй.
330 ## $aIt was found experimentally that when the water surface is heated by CW laser radiation through the optical fiber with a wavelength of 1. 94 mum, jets are generated : one is submerged, directed inward liquid, the other directed in the opposite direction into the atmosphere. Jets are formed when the gas cavity collapses, arising in the process of explosive boiling of water caused by absorption of laser radiation directly under the fiber tip. The mechanism of jet formation is discussed.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 31-34$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aГазы и жидкости$2AR-MARS
610 0# $aгенерация затопленной струи
610 0# $aзатопленные струи
610 0# $aлазерный нагрев
610 0# $aповерхности жидкостей
610 0# $aповерхности воды
610 0# $aоптоволокно
610 0# $aжидкости
610 0# $aатмосфера
610 0# $aструи
610 0# $aсхлопывание
610 0# $aгазовые полости
610 0# $aвскипание воды
610 0# $aлазерное излучение
610 0# $aвзрывное кипение
675 ## $a536.22/.23?
686 ## $2rubbk$a22.365$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aЧудновский$bВ. М.$4070$pТихоокеанский океанологический институт им. В. И. Ильичева ДВО РАН
701 #1 $aЮсупов$bВ. И.$4070$pИнститут фотонных технологий ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50153.18426
005 20201029052302.7
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss31_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b31
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
9
001 pzht20_to46_vy20_ss35_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aСинтез и газовая чувствительность тонких пленок оксида хрома$fА. В. Алмаев, Б. О. Кушнарев, Е. В. Черников, В. А. Новиков
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 37 (17 назв.)
330 ## $aМетодом высокочастотного магнетронного распыления с последующим отжигом при T=673 K в атмосфере воздуха синтезированы тонкие поликристаллические пленки Cr[2]O[3]. Диаметр зерен в тонкой пленке Cr[2]O[3] составляет 40-70 nm, ширина запрещенной зоны 3. 3±0. 2 eV. Пленки Cr[2]O[3] в области температур 303-473 K демонстрируют высокие отклики на NO[2], Н[2], пары ацетона и толуола, слабо реагируют на воздействие CH[4] и СО и характеризуются относительно слабой зависимостью сопротивления от влажности. Предложена качественная модель влияния газов на электрические свойства тонких пленок Cr[2]O[3].
330 ## $aThe thin polycrystal Cr[2]O[3] films were synthesized by RF - magnetron sputtering with followed annealing at T=673 K in an air atmosphere. The grains diameter in the thin Cr[2]O[3] film is 40-70 nm, Eg=3. 3±0. 2 eV. In the temperature range of 303-473 K, the Cr[2]O[3] films show high response to NO[2], Н[2], vapors of acetone and toluene, weakly react to CH[4] and CO and have the relatively weak dependence of resistance on humidity. The qualitative model of the gases influences on the thin Cr[2]O[3] films electrical properties was proposed.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 35-37$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aЭлектронные и ионные явления. Физика плазмы$2AR-MARS
610 0# $aсинтез
610 0# $aгазовая чувствительность
610 0# $aтонкие пленки
610 0# $aоксид хрома
610 0# $aмагнетронное распыление
610 0# $aотжиг
610 0# $aполикристаллические пленки
610 0# $aзапрещенные зоны
610 0# $aвысокие отклики
610 0# $aоксид азота
610 0# $aацетон
610 0# $aтолуол
610 0# $aметан
610 0# $aмонооксид углерода
610 0# $aСО
610 0# $aгазы
610 0# $aэлектрические свойства
610 0# $aгазовые сенсоры
675 ## $a533.9
686 ## $2rubbk$a22.333$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aАлмаев$bА. В.$4070$pНациональный исследовательский Томский государственный университет
701 #1 $aКушнарев$bБ. О.$4070$pНациональный исследовательский Томский государственный университет
701 #1 $aЧерников$bЕ. В.$4070$pНациональный исследовательский Томский государственный университет
701 #1 $aНовиков$bВ. А.$4070$pНациональный исследовательский Томский государственный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50154.18342
005 20201029052302.6
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss35_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b35
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
10
001 pzht20_to46_vy20_ss38_ad1
100 ## $a20201029d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПолучение аблированных частиц CeO[2] с нанодисперсным распределением по составу$fМ. А. Пугачевский, В. А. Мамонтов, Аунг Ней Вин [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 40-41 (22 назв.)
330 ## $aРазработана методика получения аблированных частиц CeO[2] нанодисперсного состава. С помощью просвечивающей электронной микроскопии и дифрактометрии малоуглового рентгеновского рассеяния установлено, что предельный размер частиц в коллоидном растворе не превышает 30 nm. Методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов установлено, что содержание дефектов кислородных вакансий увеличивается с уменьшением размеров аблированных наночастиц.
330 ## $aA technique for the preparation of ablated particles of CeO[2] of a nanosized composition has been developed. Using transmission electron microscopy and Small Angle X-ray Scattering, it has been found that the maximal particle size in a colloidal solution does not exceed 30 nm. According to Electron Energy Loss Spectroscopy, the content of oxygen vacancy defects increases with a decrease in the size of ablated nanoparticles.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 38-41$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aФизика твердого тела. Кристаллография в целом$2AR-MARS
610 0# $aаблированные частицы
610 0# $aдиоксид церия
610 0# $aнанодисперсное распределение
610 0# $aнанодисперсный состав
610 0# $aпросвечивающая электронная микроскопия
610 0# $aдифрактометрия
610 0# $aмалоугловое рентгеновское рассеяние
610 0# $aчастицы
610 0# $aколлоидные растворы
610 0# $aспектроскопия
610 0# $aэнергия электронов
610 0# $aдефекты
610 0# $aкислородные вакансии
610 0# $aаблированные наночастицы
675 ## $a539.2
686 ## $2rubbk$a22.37$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aПугачевский$bМ. А.$4070$pЮго-Западный государственный университет (ЮЗГУ)
701 #1 $aМамонтов$bВ. А.$4070$pЮго-Западный государственный университет (ЮЗГУ)
701 #0 $aАунг Ней Вин$4070$pЮго-Западный государственный университет (ЮЗГУ)
701 #1 $aЧекаданов$bА. С.$4070$pЮго-Западный государственный университет (ЮЗГУ)
701 #1 $aКузьменко$bА. П.$4070$pЮго-Западный государственный университет (ЮЗГУ)
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50155.18286
005 20201029052302.9
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss38_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b38
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201029$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201029
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
11
001 pzht20_to46_vy20_ss42_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aЭффект памяти тройной формы полиуретанового композиционного материала$fТ. А. Шалыгина, С. Ю. Воронина, А. Ю. Власов [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 46 (11 назв.)
330 ## $aИсследовано влияние аппретирующего слоя углеродных волокон на возникновение эффекта памяти тройной формы полиуретанового углепластика. С помощью термомодулированной дифференциальной сканирующей калориметрии определены структурные изменения образца полиуретана, армированного аппретированным углеволокном. Установлено влияние протекания механизма диффузионной адгезии на термомеханические характеристики эффекта памяти тройной формы полиуретанового композиционного материала.
330 ## $aThe effect of the carbon fibers coupling layer on the occurrence of the triple-shape memory effect of polyurethane reinforced is studied. Using thermomodulated differential scanning calorimetry, structural changes in a sample of Carbon fiber reinforced polyurethane with coupling layer were determined. The influence of the diffusion adhesion mechanism on the thermomechanical characteristics of the triple-shape memory effect of the polyurethane composite material is established.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 42-46$1210 $d2020
606 ## $aТехника$2AR-MARS
606 ## $aМатериаловедение$2AR-MARS
610 0# $aэффект памяти тройной формы
610 0# $aполиуретановые композиционные материалы
610 0# $aаппретирующие слои
610 0# $aуглеродные волокна
610 0# $aполиуретановый углепластик
610 0# $aдифференциальная сканирующая калориметрия
610 0# $aтемпературные модуляции
610 0# $aструктурные изменения
610 0# $aобразцы полиуретана
610 0# $aаппретированное углеволокно
610 0# $aдиффузионная адгезия
610 0# $aтермомеханические характеристики
675 ## $a620.1/.2
686 ## $2rubbk$a30.3$vТаблицы для массовых библиотек
701 #1 $aШалыгина$bТ. А.$4070$pСибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
701 #1 $aВоронина$bС. Ю.$4070$pСибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
701 #1 $aВласов$bА. Ю.$4070$pФедеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
701 #1 $aПасечник$bК. А.$4070$pСибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
701 #1 $aОбверткин$bИ. В.$4070$pСибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
701 #1 $aТитов$bМ. А.$4070$pСибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50156.18251
005 20201029052302.1
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss42_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b42
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
12
001 pzht20_to46_vy20_ss47_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aПодъем пылевых частиц при воздействии лазерного излучения на хондритовую мишень и возможность моделирования плазменно-пылевых процессов у поверхности Луны$fИ. Н. Бурдонский, А. Г. Леонов, В. Н. Юфа [и др.]
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 49-50 (16 назв.)
330 ## $aПриведены результаты первого исследования по экспериментальному моделированию подъема пылевых частиц ударной волной над поверхностью мишени, выполненного на установке "Сатурн". Исследовано взаимодействие лазерного излучения с пористой хондритовой мишенью, на поверхности которой содержатся мелкодисперсные частицы талька. Результаты экспериментального моделирования могут применяться для описания подъема частиц пыли из зон нелинейных и линейных упругих деформаций вещества реголита, характеризующих ударное воздействие метеороида на поверхность Луны.
330 ## $aThe results of the first study on experimental modeling of the rise of dust particles by a shock wave above a target surface, performed on the Saturn installation, are presented. The interaction of laser radiation with a porous chondritic target, the surface of which contains fine particles of talc, is investigated. The results of experimental modeling can be used to describe the rise of dust particles from zones of nonlinear and linear elastic deformations of the regolith material, which characterize the impact of the meteoroid on the surface of the Moon.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 47-50$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aЭлектронные и ионные явления. Физика плазмы$2AR-MARS
606 ## $aАстрономия$2AR-MARS
606 ## $aПланеты и спутники$2AR-MARS
610 0# $aпылевые частицы
610 0# $aлазерное излучение
610 0# $aхондритовые мишени
610 0# $aплазменно-пылевые процессы
610 0# $aповерхность Луны
610 0# $aЛуна
610 0# $aрезультаты исследований
610 0# $aударные волны
610 0# $aСатурн
610 0# $aмелкодисперсные частицы
610 0# $aтальк
610 0# $aрезультаты экспериментального моделирования
610 0# $aнелинейные деформации
610 0# $aлинейные деформации
610 0# $aреголит
610 0# $aметеороиды
610 0# $aударное воздействие
610 0# $aлунная поверхность
610 0# $aэкспериментальные установки
675 ## $a533.9
675 ## $a523.3/.4
686 ## $2rubbk$a22.333$vТаблицы для массовых библиотек
686 ## $2rubbk$a22.654
701 #1 $aБурдонский$bИ. Н.$4070$pМосковский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) ; АО "ГНЦ РФ Тринити"
701 #1 $aЛеонов$bА. Г.$4070$pМосковский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
701 #1 $aЮфа$bВ. Н.$4070$pМосковский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) ; АО "ГНЦ РФ Тринити"
701 #1 $aГолубь$bА. П.$4070$pИнститут космических исследований РАН
701 #1 $aПопель$bС. И.$4070$pИнститут космических исследований РАН
701 #1 $aСадовский$bА. М.$4070$pИнститут космических исследований РАН
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50157.18362
005 20201029052302.4
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss47_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b47
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029
13
001 pzht20_to46_vy20_ss51_ad1
100 ## $a20201028d2020 |||y0rusy0400
101 0# $arus
102 ## $aRU
200 1# $aВязкость газов в наноканалах$fВ. Я. Рудяк, Е. В. Лежнев
203 ## $aТекст$cнепосредственный
215 ## $cил.
320 ## $aБиблиогр.: с. 54 (18 назв.)
330 ## $aИзучается вязкость разреженного газа в наноканалах при нормальных условиях. Коэффициент вязкости вычисляется с помощью формулы Грина - Кубо с использованием стохастического молекулярного метода. Взаимодействие молекул газа со стенкой описывается зеркальным, диффузным или зеркально-диффузным законами. Варьируются температура газа и высота канала. Показано, что вязкость в наноканале существенно неизотропна. Вдоль канала она практически всегда совпадает с ее соответствующим значением в объеме. Варьируя коэффициент аккомодации, полную вязкость газа можно как уменьшать в несколько раз, так и увеличивать.
330 ## $aThe viscosity of rarefied gas in nanochannels under normal conditions is studied. The viscosity coefficient is calculated by means of the Green - Kubo formula using the stochastic molecular method. The interaction of gas molecules with the wall is described by mirror, diffuse or mirror-diffuse laws. The gas temperature and channel height vary. It has been shown that the viscosity in the nanochannel is substantially non-isotropic. Along the channel, the viscosity almost always coincides with its corresponding value in volume. By varying the accommodation coefficient, the total viscosity of the gas can be either reduced or increased by several times.
461 #0 $1011 $a0320-0116$12001 $aПисьма в "Журнал технической физики"
463 #0 $12001 $aТ. 46, вып. 20$vС. 51-54$1210 $d2020
606 ## $aФизика$2AR-MARS
606 ## $aГазы и жидкости$2AR-MARS
610 0# $aвязкость газов
610 0# $aгазы
610 0# $aнаноканалы
610 0# $aразреженные газы
610 0# $aкоэффициенты вязкости
610 0# $aформула Грина - Кубо
610 0# $aГрина - Кубо формула
610 0# $aстохастический молекулярный метод
610 0# $aмолекулы газа
610 0# $aзеркальные законы
610 0# $aдиффузные законы
610 0# $aзеркально-диффузные законы
610 0# $aтемпература газа
610 0# $aвысота каналов
610 0# $aкоэффициенты аккомодации
610 0# $aрезультаты моделирования
675 ## $a536.22/.23?
686 ## $2rubbk$a22.365$vТаблицы для массовых библиотек
700 #1 $aРудяк$bВ. Я.$4070$pНовосибирский государственный архитектурно-строительный университет; Новосибирский государственный университет
701 #1 $aЛежнев$bЕ. В.$4070$pНовосибирский государственный архитектурно-строительный университет
856 4# $uhttps://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50158.18434
005 20201029052302.0
901 ## $aдля МАРК-SQL$tb
014 ## $aRUMARS-pzht20_to46_vy20_ss51_ad1$2AR-MARS
903 ## $acode$bpzht$cНаучно-техническая библиотека им. В. А. Обручева Томского политехнического университета$d13884
903 ## $ayear$b2020
903 ## $ato$b46
903 ## $avy$b20
903 ## $ass$b51
903 ## $aad$b1
801 #0 $aRU$b63413507$c20201028$gRCR
801 #1 $aRU$b63413507$c20201028
801 #2 $aRU$bAR-MARS$c20201029$gRCR
801 #3 $aRU$bAR-MARS$c20201029